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| 法國Lenoir雷諾直流滅磁開關(guān)的技術(shù)優(yōu)勢與市場應(yīng)用分析 |
| 點(diǎn)擊次數(shù)：1683 更新時(shí)間：2024-09-13 |
法國lenoir雷諾直流滅磁開關(guān)-赫爾納優(yōu)勢供應(yīng)法國lenoir雷諾直流滅磁開關(guān)-常規(guī)磁場斷路器一般都串聯(lián)在勵(lì)磁直流回路中，目前國內(nèi)大部分新建機(jī)組及老機(jī)組改造都選擇滅磁開關(guān)配合ZnO 非線性電阻的滅磁方案。其基本原理如圖。圖中LP 為勵(lì)磁整流裝置，MK 為滅磁開關(guān)，RF 為氧化鋅非線性電阻，UZ表示可控硅直流側(cè)電壓，UK 表示滅磁開關(guān)弧壓，UL 表示滅磁非線性電阻的殘壓。FR 跨接于勵(lì)磁繞組兩端，發(fā)電機(jī)正常運(yùn)行時(shí)，轉(zhuǎn)子電壓UL 較低，F(xiàn)R 呈高阻，漏電流僅微安量級。滅磁時(shí)MK 開斷，弧壓UK 上升，導(dǎo)致UL 反向并升高，高至一定值時(shí)FR 轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，勵(lì)磁電流轉(zhuǎn)入FR 衰耗，MK 熄弧開斷。 這種以MK 跳閘建立弧壓，并擊穿氧化鋅非線性電阻FR，以實(shí)現(xiàn)勵(lì)磁電流由MK 轉(zhuǎn)移到FR，來吸收轉(zhuǎn)子磁能的滅磁方法，必須保證電壓關(guān)系UK-UZ≥UL 的成立。這是直流側(cè)滅磁正常換流的必要條件。根據(jù)公式UK-UZ≥UL，當(dāng)直流開關(guān)用于非線性電阻滅磁系統(tǒng)時(shí)，對開關(guān)主觸頭斷開時(shí)產(chǎn)生的弧壓有嚴(yán)格的要求。為了建立更高的斷口電壓，以滿足在滅磁時(shí)使非線性電阻導(dǎo)通并將勵(lì)磁電流換流到滅磁回路中的要求，而使得開關(guān)的結(jié)構(gòu)復(fù)雜化，在某些情況下，甚至要求開關(guān)具有兩個(gè)或更多的串聯(lián)主觸頭，這種專用的開關(guān)價(jià)格較高，市場較小，所以對生產(chǎn)及開發(fā)均帶來了不利的影響。 折疊交流滅磁
交流滅磁的一次原理電路圖與圖1相同，區(qū)別之處在于需要通過一中間繼電器的分閘動(dòng)作去切除勵(lì)磁電源的可控硅觸發(fā)脈沖(簡稱拉脈沖)，然后跳滅磁開關(guān)。由于發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子是具有儲能的大電感，其釋能的時(shí)間常數(shù)為幾秒量級，拉脈沖后，它相當(dāng)于一直流恒流源，也就是使勵(lì)磁電源的可控硅始終有兩只導(dǎo)通、四只關(guān)斷;由于可控硅觸發(fā)脈沖被切除，四只關(guān)斷的可控硅管不會再導(dǎo)通，但因轉(zhuǎn)子的直流恒流源作用，兩只導(dǎo)通的可控硅始終導(dǎo)通，且不可控;又因該直流恒流源的輸出為單方向直流，兩只導(dǎo)通的可控硅在此僅相當(dāng)于導(dǎo)體。這就使得在與勵(lì)磁電源輸入端相連接的三相支路中有兩相電流流過，一相無電流，此時(shí)，勵(lì)磁電源相當(dāng)于一交流恒壓源，拉脈沖以后的電路圖可以等效為如圖2 所示。這樣電流回路由上述單相交流恒壓源與轉(zhuǎn)子形成的直流恒流源串聯(lián)而形成閉合回路。當(dāng)交流滅磁開關(guān)開斷時(shí)，就使得交流開關(guān)的斷口處產(chǎn)生弧壓。利用上述交流開關(guān)斷開時(shí)的弧壓和勵(lì)磁變壓器所輸出的單相交流電壓的疊加，當(dāng)滿足條件UK-Uz≥UL 時(shí)，勵(lì)磁電流全部切換到FR 中，隨即使開關(guān)斷口點(diǎn)熄弧-開關(guān)開斷成功，這樣就將發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子儲存的磁能經(jīng)FR 釋放，完成快速滅磁。 折疊交流側(cè)滅磁的優(yōu)點(diǎn): 把交流側(cè)滅磁與直流側(cè)滅磁進(jìn)行比較，可以看出交流側(cè)滅磁對弧壓UK 的要求大大降低。斷路器的弧壓總有一定限制，為了提高弧壓要采取一系列措施，如加強(qiáng)吹弧，增加滅弧柵片數(shù)，加大滅弧罩尺寸，以及多斷口串聯(lián)等，這些都會加大斷路器的體積，重量及造價(jià)。降低弧壓要求，也意味著降低斷路器的體積、重量和造價(jià)，這是交流滅磁的主要優(yōu)點(diǎn)。
折疊非線性電阻 盡管國內(nèi)外對采用非線性電阻滅磁已達(dá)成了共識，但在非線性電阻的選擇上卻有所不同。國外普遍選擇了碳化硅(SiC)壓敏電阻作為滅磁裝置的非線性電阻，而國內(nèi)卻大多選擇了氧化鋅(ZnO)壓敏電阻。
從電氣特性來看，ZnO 的電流衰減將幾乎恒定在較快的水平。而SiC 的電流衰減的速度將隨電流的減小而明顯變慢。從而在整個(gè)滅磁時(shí)間上ZnO 的要比SiC 的短。如果采用相同的滅磁電阻和滅磁電壓，則對滅磁時(shí)間來說，SiC 是ZnO 的兩倍。 |
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